什么是真空镀膜设备？
真空镀膜设备主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，mbe分子束外延，pld激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
需要镀膜的被成为基片，镀的材料被成为靶材。 基片与靶材同在真空腔中。
蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来，并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。 对于溅射类镀膜，真空装饰镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过蒸发镀膜设备+所镀产品图蒸发镀膜设备+所镀产品图程，终形成薄膜。
真空手套箱用磁控溅射离子镀技术为黄铜电镀亮铬的卫生洁具镀制zrn膜。真空手套箱设备采用基材为锆的非平衡磁控溅射靶和中频电源，以及脉冲偏压电源。
(1)抽真空
5 x 10-3～6.6 x 10-13pa本底真空。真空手套箱设备加热温度应在真空室器壁放气后又回升到100～150℃。
(2)轰击清洗
真空度：通---真空度保持在2～3pa。轰击电压：800～1000v，脉冲占空比20%。轰击时间：10min。
(3)手套箱
沉积锆底层
真空度：通入气，真空度保持在s x l0-1pa。靶电压：400—550v，靶功率15 n 30w/crrr2。脉冲偏压：450～500v，占空比20 %。手套箱时间：5～10min。
镀zrn膜
真空度：通入氮气，新昌真空镀膜，真空度保持在(3～5) x 10-1pa。靶电压：400～550v，靶电流随靶的面积增大而加大。脉冲偏压：150～200v，占空比80 %。手套箱时间：20～30min。
由于真空手套箱磁控溅射技术中金属离化率低，真空镀膜工艺，不容易进行反应沉积，获得化合物膜层的工艺范围比较窄。真空手套箱设备可采用气体离子源将反应气体离化，扩大反应沉积的工艺范围。也可以采用柱状弧源产生的弧等离子体作为离化源，柱状弧源还是辅助手套箱源。
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